最近，借助空穴传输层（HTL），尤其是自组装单分子层（SAMs）的协助，倒置钙钛矿太阳能电池（PSCs）得到了迅速发展。然而，当前的器件性能在很大程度上依赖于HTL的厚度，其厚度需要严格控制在约5纳米，而超过10纳米的SAM HTL会导致严重的效率损失。
在此，华东师范大学方俊锋、李晓冬等人报道了一种厚度不敏感的聚合物HTL（P3CT-TBB），通过聚[3-（4-羧基丁基）噻吩]（P3CT）的p型掺杂实现，掺杂剂为1,3,5-三（溴甲基）苯（TBB）。TBB能够从P3CT中的噻吩链中抽取电子，从而促进其p型掺杂。与对照组P3CT相比，掺杂后的P3CT-TBB薄膜电导率增加了约10倍。
因此，基于P3CT-TBB的倒置PSCs展现出了超过26%的最高效率，并且对厚度不敏感，在超过60纳米厚的P3CT-TBB的PSCs中仍能保持超过24%的效率。此外，由于空穴提取能力的提高，器件的稳定性也得到了提升，在ISOS-L-2协议（65°C）下，经过1200小时的最大功率点（MPP）跟踪后，仍能保持初始效率的约90%。
https://www.cell.com/joule/abstract/S2542-4351(25)00192-8
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